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IXTA110N055T7
180
Fig. 7. Input Admittance
90
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
160
140
T J = -40oC
25oC
150oC
80
70
120
100
80
60
40
20
0
60
50
40
30
20
10
0
25oC
150oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
270
240
210
180
150
120
9
8
7
6
5
4
V DS = 27.5V
I D = 25A
I G = 10mA
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
10
20
30
40
50
60
70
V SD - Volts
Q G - NanoCoulombs
10,000
Fig. 11. Capacitance
1.00
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
C iss
1,000
100
C oss
C rss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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